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LGM100HF120S2F1A
?具有正溫度系數(shù)的VCEsat 低開關(guān)損耗 低電感外殼 采用DBC技術(shù)的隔離銅基板了解 +LGM100HF120S2F1A
IGBT
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TGAN60N65F2DS
TGAN60N65F2DS絕緣柵雙極晶體管是由TRinno的第二代場截止效應(yīng)工藝制成的。650V，開關(guān)損耗低，適用于多種溫度范圍，可在175℃下工作，易于并聯(lián)操作，符合ROHS標準，并已獲得JEDEC資格認證。該產(chǎn)品可用于UPS、電焊機、逆變器、太陽能等領(lǐng)域。了解 +TGAN60N65F2DS
IGBT
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G5S12020BM
正溫度系數(shù)，便于并聯(lián)使用。與溫度無關(guān)的開關(guān)特性。高工作溫度為175℃。零反向恢復(fù)電流。零正向恢復(fù)電壓。應(yīng)用：開關(guān)電源（SMPS）、功率因數(shù)校正（PFC）。電機驅(qū)動、光伏逆變器、不間斷電源、風力發(fā)電機、列車牽引系統(tǒng)、電動汽車。了解 +G5S12020BM
SBD
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SD8666QS
SD8666QS 是用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓功率 MOSFET、外置采樣電阻 的準諧振電流模式 PWM+PFM 控制器。 SD8666QS 具有多重模式控制：在重載下，高壓時工作在 QR 模式，可以減小開關(guān)損耗，低壓時工作固定頻率（65KHz）的 CCM 模式。在中載 和輕載下，工作在 QR+PFM 模式，可以提高轉(zhuǎn)換效率。在空載下，進入打 嗝模式，有效地降低電路的待機功耗。了解 +SD8666QS
Controler
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